【IT168 资讯】相信只要稍微关注了今年的平板电脑行业的人都会发现，2012年是四核平板的兴起之年。除了一些声名在外的好品牌，也有民族品牌在默默努力之后创造了辉煌的成绩——制造出能够让国内消费者轻松拥有的低价高配的四核平板产品。深圳腾中电子就是这样一家企业，旗下的本易四核Miracle系列即将在8月份正式上市，值得期待。

　　在参数方面，根据本易的官方消息，Miracle一代产品系统是基于安卓4.0进行了深度优化的Miracle OS，屏幕是4:3的新一代IPS高清电容屏。长196.61mm，宽147.46mm，上网看视频的话这个尺寸比较适合。采用G+G工艺，最高支持16点触控;机身尺寸238.5x 181 x 11mm，最薄处只有4.5mm;电池据说可以连续玩10个小时以上，游戏无压力。摄像头前300w，后500w，还支持自动对焦;内置陀螺仪。外观上前后外壳为白色通透PC/ABS水晶工艺，边缘为天蓝色EP注塑工艺包圈，美观大方。

　　最引人关注的，应该还是Miracle one的四核CPU是采用哪种方案。就目前市面上的四核芯片来看，主流的是三星的猎户座四核，英伟达的Tegra 3，华为的海思K3V2，还有高通的骁龙APQ8064 。根据本易所说采用的国际某厂商的芯片，基本可以排除掉海思K3V2了。剩下的三款芯片，我们主要来比较一下它们在制程工艺方面的优劣。

　　一般来说，CPU的制作工艺水平越高就会越精细，每单位面积上的晶体管就越多，也就意味着电线的长度会变短，散热量就会变小，从而就可以降低功耗。从这个意义上来讲，三星的是32nm，英伟达的是40nm，高通的是28nm。表面来看，最优质的应该是高通的骁龙APQ8064，但是这里面还有一个问题，那就是高通目前的28nm是旧工艺开始淘汰的poly/sion，而三星的是新工艺hkmg。poly/sion是传统的多晶硅栅+氮氧化硅绝缘层(poly/sion)的栅极结构虽然便宜，但漏电率高，功耗大，性能相对弱。而hkmg是金属栅极+高介电 常数绝缘层(High-k)栅结构，虽然结构复杂，但漏电率低，可控性高，性能也相对高。所以28nm的高通对32nm的三星在制程上未必有优势，甚至可能不如。在结合三星在工艺上比英伟达的更精细，我们可以得出一个大致的结论就是三星的Exynos 4412应该是目前市面上的最强四核。

　　对于自己的四核芯片，本易一直表现得信心满满。再结合之前在网络上引起热议的直逼13000的Miracle one 工程机的安兔兔跑分图片和视频来看，本易这款芯片是三星猎户座的可能性还是比较大的。不过不管高通S4 APQ或三星猎户座，照常理来说，包括中兴、华为、联想等国产平板厂商都很难拿到这个资源。只是现阶段都是猜测，真正的答案还是要等本易的官方说明才能揭晓。

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